Aufsatz(elektronisch)Januar 2024

Effects of Y and Ho doping on microstructure evolution during oxidation of extraordinary stable Hf-B-Si-Y/Ho-C-N films up to 1500 °C

In: Materials and design, Band 237, S. 112589

Jiang, J.C.; Shen, Y.; Zeman, P.; Procházka, M.; Vlček, J.; Meletis, E.I.

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Sprachen

Englisch

Verlag

Elsevier BV

ISSN: 1873-4197

DOI

10.1016/j.matdes.2023.112589

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