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The authors thank the Laboratory of Nanoelectronics in the Research Centre for Information and Communications Technologies (CITIC-UGR) at the University of Granada (Spain) for providing the data for the study. This work was supported in part by the Spanish Ministry of Science and Innovation through grants number RTI2018-099723-B-I00, and PID2020-120217RB-I00; the Spanish Junta de Andalucia through grants number B-FQM-284-UGR20 and B-CTS-184-UGR20; and the IMAG-Maria de Maeztu grant CEX2020-001105-/AEI/10.13039/501100011033. The comments from two anonymous reviewers and the Associate Editor that have helped to improve the quality of the paper are also acknowledged. ; Our practical motivation is the analysis of potential correlations between spectral noise current and threshold voltage from common on-wafer MOSFETs. The usual strategy leads to the use of standard techniques based on Normal linear regression easily accessible in all statistical software (both free or commercial). However, these statistical methods are not appropriate because the assumptions they lie on are not met. More sophisticated methods are required. A new strategy based on the most novel nonparametric techniques which are data-driven and thus free from questionable parametric assumptions is proposed. A backfitting algorithm accounting for random effects and nonparametric regression is designed and implemented. The nature of the correlation between threshold voltage and noise is examined by conducting a statistical test, which is based on a novel technique that summarizes in a color map all the relevant information of the data. The way the results are presented in the plot makes it easy for a non-expert in data analysis to understand what is underlying. The good performance of the method is proven through simulations and it is applied to a data case in a field where these modern statistical techniques are novel and result very efficient. ; Spanish Government RTI2018-099723-B-I00 PID2020-120217RB-I00 ; Junta de Andalucia B-FQM-284-UGR20 B-CTS-184-UGR20 ; IMAG-Maria de Maeztu grant CEX2020-001105-/AEI

Este estudio tiene como objetivo analizar distintas dimensiones del estigma social en mujeres reclusas en proceso de semilibertad, a partir de diferentes variables relacionadas con las trayectorias previas a prisión y la actualidad, las percepciones y realidades del estigma y, las valoraciones de las consecuencias en la vida. La investigación ha empleado métodos cuantitativos, con una muestra de 310 mujeres reclusas y 66 profesionales penitenciarios, en 31 centros penitenciarios españoles mediante un cuestionario mixto. Los resultados muestran una autopercepción inicial favorable socialmente y respecto a su reinserción, cuestión que contrasta con la opinión de los profesionales del medio que relacionan el estigma social con las dificultades de la reinserción; siendo las mujeres con problemas de salud mental las que peor se autoperciben y las de etnia gitana las que mejor autopercepción presentan. Los datos presentan el estigma relacionado a la condición de reclusión y sus afecciones en la reinserción, lo cual aumenta los procesos de discriminación, estigmatización, marginación y exclusión. Sin embargo, es alentador la asunción del delito cometido en aquellas que han realizado programas, lo cual evidencia la importancia y necesidad de una intervención socioeducativa en el contexto penitenciario y en el acompañamiento que favorezca la reinserción social.